Kecepatan komputer selalu diinginkan oleh sesiapa saja. Pelbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan komputer. Kini giliran sebuah teknologi di bidang memory komputer.
Sebelumnya anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory komputer. Memory RAM ini memiliki pelbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.
Namun ternyata RAM saja belum cukup untuk memuaskan keinginan manusia akan tuntutan kecepatan dan kepantasan. Oleh kerana itu, Ahli Fizik dan Jurutera Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan sahaja lebih cepat daripada RAM tetapi juga lebih jimat tenaga. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnet.
IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Tork putaran MRAM). Teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para Ahli Fizik dan JuruteraJerman.
Dengan membangunkan pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus elektrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya memerlukan sedikit waktu untuk mengubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali ganda kecepatan RAM. KEcepatan ini masih boleh terus dikembangkan dimasa depan.
No comments:
Post a Comment